隨著（zhe）現代微電子技術的創（chuàng）新，電（diàn）子設備向著微型化、集（jí）成（chéng）化、高效率和高可靠性等方向發展，電子係統的集成度越來越高，功率密度越來越大，對封裝材料的要求也越來越高（gāo）。高溫（wēn）電爐（lú）升降式箱式電（diàn）動加熱爐（lú）功率微電子封裝除承擔熱耗散外，還（hái）必須具有與芯（xīn）片的材質（Si、GaAs）相（xiàng）匹配（pèi）的（de）線脹係數以及強度高、結構質量輕、工藝性好、成本低等特點。

高溫電爐升降式箱式電動加熱爐陶瓷基板由陶瓷基片（piàn）和（hé）布線金屬層兩部（bù）分（fèn）組成，金屬布線是通過在（zài）陶瓷基（jī）片上濺射、蒸發沉積或印刷各種金屬材料來製備（bèi）薄膜和厚（hòu）膜電路。常用的陶瓷基片材（cái）料有氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氧（yǎng）化鈹等等，製備陶瓷基板的方法（fǎ）有很多種，根據封裝結構和應用要求，陶瓷基板可分為平麵陶瓷基板和多層陶瓷基板兩大類，按照工藝分為DPC、DBC、AMB、TPC、TFC、LTCC、HTCC等（děng）。